半导体装置及其制造方法、电源供应器与高频放大器

摘要

半导体装置包括：一第一电晶体，其包括一第一闸极电极、一第一源极电极、一第一汲极电极、与一包括一第一电子转渡层和一第一电子供应层之第一氮化物半导体叠层；一第二电晶体，其包括一第二闸极电极、一第二源极电极、一第二汲极电极、与一包括一第二电子转渡层与一第二电子供应层之第二氮化物半导体叠层，该第二汲极电极为一个也作用为该第一源极电极的共用电极，该第二电子转渡层具有位于该第二闸极电极下方且包含p-型掺杂物的部份；及一p-型-掺杂物-扩散-阻挡层。

主权项

一种半导体装置，包含：一第一电晶体，其包括一第一闸极电极、一第一源极电极、一第一汲极电极、与一包括一第一电子转渡层和一第一电子供应层之第一氮化物半导体叠层；一第二电晶体，其包括一第二闸极电极、一第二源极电极、一第二汲极电极、与一包括一第二电子转渡层和一第二电子供应层之第二氮化物半导体叠层，该第二汲极电极为一个也作用为该第一源极电极的共用电极，该第二电子转渡层具有位在该第二闸极电极下方且包含p-型掺杂物的部份；及一p-型-掺杂物-扩散-阻挡层，其中该第二氮化物半导体叠层以该p-型-掺杂物-扩散-阻挡层介于该等第一与第二氮化物半导体叠层之间而被设置比该第一氮化物半导体叠层高，且该第一闸极电极与该第二源极电极是彼此电气地耦接以建立该第一电晶体至该第二电晶体的串联连接。