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Ein Verfahren und eine Struktur zum Schutz von Materialien mit hoher Beweglichkeit vor Belastungen durch Hochtemperaturprozesse beinhalten das Bereitstellen eines Substrats mit mindestens einer Finne, die sich davon erhebt. Die mindestens eine Finne beinhaltet einen Dummy-Kanal und Source-/Drain-Bereiche. Über dem Dummy-Kanal wird ein Dummy-Gate-Stapel gebildet. Eine erste Zwischendielektrikumschicht (ILD-Schicht) wird auf dem Substrat gebildet, das die Finne beinhaltet. Die erste ILD-Schicht wird planarisiert, um den Dummy-Gate-Stapel freizulegen. Nach dem Planarisieren der ersten ILD-Schicht, werden der Dummy-Gate-Stapel und der Dummy-Kanal entfernt, um eine Vertiefung zu bilden, und ein Kanalbereich mit Material mit hoher Beweglichkeit wird in der Vertiefung gebildet. Nach dem Bilden des Kanalbereichs mit Material mit hoher Beweglichkeit werden in einer zweiten ILD-Schicht, die über den Source-/Drain-Bereichen liegt, Kontaktöffnungen gebildet und ein Material mit geringer Schottky-Barrierehöhe (SBH) wird über den Source-/Drain-Bereichen gebildet. |
