| 发明名称 | 光学临近修正、光掩模版制作及图形化方法 | ||
| 摘要 | 一种光学临近修正方法，包括：确定布局接触孔图形位于器件密集区、器件稀疏区还是器件孤立区；增大器件稀疏区及器件孤立区的布局接触孔图形的临界尺寸。本发明还提供一种光掩模版制作方法及图形化方法。本发明防止由于器件密集及临界尺寸的增大造成接触孔间的桥接，进而有效解决器件间的短路现象。 | ||
| 申请公布号 | CN101458446A | 申请公布日期 | 2009.06.17 |
| 申请号 | CN200710094461.X | 申请日期 | 2007.12.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 程仁强 |
| 分类号 | G03F1/14(2006.01)I;G03F1/00(2006.01)I | 主分类号 | G03F1/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李 丽 |
| 主权项 | 1. 一种光学临近修正方法，其特征在于，包括：确定布局接触孔图形位于器件密集区、器件稀疏区还是器件孤立区；增大器件稀疏区及器件孤立区的布局接触孔图形的临界尺寸。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||