| 发明名称 | 液晶显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明的目的为提供一种方法，其中批量生产性高地制造具有电特性良好且可靠性高的薄膜晶体管的液晶显示装置。在具有反交错型薄膜晶体管的液晶显示装置中，在反交错型薄膜晶体管中的栅电极上形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成用作沟道形成区域的微晶半导体膜，在微晶半导体膜上形成缓冲层，在缓冲层上形成一对源区域及漏区域，以使源区域及漏区域的一部分露出的方式形成与源区域及漏区域接触的一对源电极及漏电极。 | ||
| 申请公布号 | CN101339342A | 申请公布日期 | 2009.01.07 |
| 申请号 | CN200810130468.7 | 申请日期 | 2008.07.04 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;铃木幸惠;桑原秀明;木村肇 |
| 分类号 | G02F1/1362(2006.01);H01L27/12(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L29/786(2006.01) | 主分类号 | G02F1/1362(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 李玲 |
| 主权项 | 1.一种液晶显示装置，包括；栅电极；形成在所述栅电极上的栅极绝缘膜；形成在所述栅极绝缘膜上的微晶半导体膜；形成在所述微晶半导体膜上且具有凹部的缓冲层；形成在所述缓冲层上的源区域及漏区域；以及与所述源区域及漏区域接触的源电极及漏电极，其中，所述源电极及漏电极不与所述微晶半导体膜的端部和所述源区域及漏区域的端部重叠，并且，与所述栅电极重叠的所述源区域及漏区域的端部和所述缓冲层的凹部侧面相一致。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||