集成电路元件及其形成方法

摘要

本发明提供一种集成电路元件及其形成方法。该集成电路元件包含介电质/金属/第二能隙半导体/第一能隙基底结构。为了降低接触电阻，利用具有较低能隙的第二能隙半导体与金属相接触。该第二能隙半导体的能隙低于第一能隙基底的能隙，且低于1.1ev。此外，可以在金属上沉积一个介电层，该介电层具有固有的应力，从而补偿所述金属、第二能隙半导体和第一能隙基底中的应力。本发明提供的集成电路元件及其形成方法，能够降低接触电阻，同时提高集成电路元件的效能和可靠性。

主权项

一种集成电路元件，其特征在于，该集成电路元件包含：一个基底，由具有第一能隙的半导体所构成；一个栅极介电质，位于该基底上；一个栅电极，位于该栅极介电质上；源极和漏极区，位于该栅极介电质两侧的基底中，该源极和漏极区具有至少一个上方部分，该上方部分由具有第二能隙的半导体所构成，且该第二能隙比该第一能隙低；一个金属层，位于该源极与漏极区中至少一个的上方部分的上面；一个第一介电层，位于该金属层上方；一个第二介电层，位于该第一介电层上方，其中该第一介电层与该第二介电层用以补偿该源极与漏极的上方部分与该金属层因晶格失配所产生的应力；一个层间介电层，位于该第二介电层上方；以及一个导电栓，该导电栓与该金属层相接触，且设置于该第一介电层、该第二介电层与该层间介电层中。