发明名称 半导体存储器件
摘要 本发明的目的是提供一种半导体存储器件,其中通过减少一次要激活的读出放大器的数目来获得低的激活电流。一种SDRAM具有分割字线结构,并包括多个存储体,这些存储体中的每个包括阵列AR1至AR64以及4K条主字线MWL。响应行地址选通信号来获取行地址信号,并响应列地址选通信号来获取段地址信号。主行解码器MRD响应行地址信号来一次激活主字线MWL1、MWL5、MWL9和MWL13,且段行解码器SRD响应段地址信号而只选择阵列AR1,并只激活对应于所选阵列AR的1K个读出放大器SA。当激活主字线MWL1、MWL5、MWL9和MWL13时,在阵列AR2至AR64中的段字线不被激活,从而不破坏数据。
申请公布号 CN100543868C 申请公布日期 2009.09.23
申请号 CN200610143198.4 申请日期 2006.11.02
申请人 国际商业机器公司 发明人 砂永登志男
分类号 G11C8/16(2006.01)I;G11C11/4091(2006.01)I;G11C11/408(2006.01)I 主分类号 G11C8/16(2006.01)I
代理机构 北京市金杜律师事务所 代理人 吴立明
主权项 1. 一种半导体存储器件,包括:多个阵列,所述阵列中的每个具有:以行和列设置的多个存储单元、以行来设置的多条段字线以及以列来设置的多个位线对;I/O线对,与所述阵列相关联地提供;多条主字线,以穿过所述阵列的行来设置;主行解码器,用于响应行地址信号来激活主字线;多个读出放大器组,对应于所述多个阵列而定位,并连接到所述对应阵列的所述位线对;段行解码器,用于响应与列地址信号一起接收的段地址信号来激活相应的段字线,由此选择所述阵列中的一个阵列;读出放大器控制装置,用于激活与所选阵列对应的读出放大器组;以及列解码器,用于响应所述列地址信号而将所述位线对连接到所述I/O线对。
地址 美国纽约阿芒克