| 摘要 |
<p>본 발명은 기판상에 스퍼터링용 공정챔버 내에서 스퍼터링 방식에 의해 실리콘 박막을 형성한다. 기판을 핫플레이트 상에서 열처리하여 열처리된 기판을 CVD용 공정챔버 내로 이동시킨 상태에서 공정가스를 주입하여 플라즈마를 발생시킨다. 그런 다음, 공정가스를 플라즈마 처리하여 기판 표면에 형성된 실리콘박막에 확산시켜 실리콘박막을 절연막으로 변화시킴으로써 박막 트랜지스터를 좀더 안정적인 환경에서 층의 스트레스, 증착 환경 오염을 감소시킬 수 있다.</p> |
