半導体デバイスの製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム

摘要

低温で基板上に膜を形成する際、膜質を改善して微細パターニングを実現する半導体デバイスの製造方法を提供することにある。基板を加熱して第１の温度に維持しつつ、前記基板に対して少なくとも原料ガスと反応ガスとを交互に供給して前記基板上に膜を形成する工程と、前記膜が形成された基板を加熱しない状態で前記第１の温度よりも低い第２の温度まで自然冷却しつつ、前記膜が形成された前記基板に対してプラズマ励起された改質ガスを供給し前記膜を改質する工程と、を有する半導体装置の製造方法を有する。