| 主权项 |
一种具钝化层之太阳能电池，其包含：一矽基垂直多接面电池，其具有一光入射面，且该矽基垂直多接面电池系由复数个具有矽基PN接面结构的半导体基板及复数个连接电极层间隔堆叠并垂直串连而成，各该连接电极层位于相邻的两个具有矽基PN接面结构的半导体基板之间，且各该连接电极层连接相邻的两个具有矽基PN接面结构的半导体基板，各该连接电极层具有一显露面，且各该具有矽基PN接面结构的半导体基板系具有一光接收表面，其中各该光接收表面为各该具有矽基PN接面结构的半导体基板的PN接面(PN junction)，且该矽基垂直多接面电池之该光入射面是由相邻的各该光接收表面及各该连接电极层之该显露面所并列形成；以及一钝化层，该钝化层为Al2O3，其覆盖于该光入射面，该钝化层可透光且可降低该矽基垂直多接面电池吸收太阳光所产生之载子的复合机率，该钝化层是藉由电浆原子层沉积(plasma atomic layer deposition，PALD)制程而形成，电浆原子层沉积之镀率系为0.1/s至0.3/s且沈积温度系介于100℃至350℃之间，藉此该钝化层与该具有矽基PN接面结构的半导体基板在界面上会有1.0x1012库伦/cm2至9.9x1013库伦/cm2之间的负电荷密度，使得该具有矽基PN接面结构的半导体基板靠近界面处形成一负电场。 |
