Method of fabricating semiconductor device

摘要

식각 속도를 증가시킬 수 있는 반도체 소자의 제조 방법에 관해 개시한다. 이를 위해 본 발명은, 기판 상에 하부 패턴을 형성하는 단계, 하부 패턴 상에 적어도 하나의 유전막을 형성하는 단계, 적어도 하나의 유전막 상에 상부 유전막을 형성하는 단계, 상부 유전막 상에 상부 유전막의 일부 영역을 노출시키는 상부 패턴을 형성하는 단계 및 상부 유전막의 일부 영역을 등방성 식각하는 단계를 포함한다.