| 发明名称 | 晶圆级凸点封装结构的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种晶圆级凸点封装结构的制作方法，包括如下步骤：（1）提供集成了芯片电极和绝缘层的晶圆；（2）在晶圆上制作保护层；（3）将芯片电极上方的保护层去除形成第一开口，将晶圆上的芯片切割位置的保护层去除形成第二开口；（4）在第一开口处制作凸点下金属层和凸点层；（5）沿第二开口的位置进行切割，得到单颗晶圆级凸点封装结构。本发明避免了因热失配而导致保护层拉扯绝缘层的应力过大的问题，从而提高了封装可靠性；且在提高可靠性的同时，并没有增加工艺步骤。本发明在切割晶圆过程中，由于去除了预定切割位置处的保护胶，使保护层避开了切割道，消除了切割时保护层对绝缘层的拉扯，减少了切割时芯片本体的崩边现象。 | ||
| 申请公布号 | CN105140200A | 申请公布日期 | 2015.12.09 |
| 申请号 | CN201510436075.9 | 申请日期 | 2015.07.22 |
| 申请人 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 发明人 | 曹立强;何洪文;戴风伟;秦飞;史戈;别晓锐 |
| 分类号 | H01L23/485(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/485(2006.01)I |
| 代理机构 | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人 | 曹祖良;刘海 |
| 主权项 | 一种晶圆级凸点封装结构的制作方法，其特征是，包括如下步骤：（1）提供集成了芯片电极和绝缘层的晶圆；（2）在晶圆上制作保护层；（3）将芯片电极上方的保护层去除形成第一开口，将晶圆上的芯片切割位置的保护层去除形成第二开口；（4）在第一开口处制作凸点下金属层和凸点层；（5）沿第二开口的位置进行切割，得到单颗晶圆级凸点封装结构。 | ||
| 地址 | 214135 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋 | ||