| 发明名称 | 晶体管的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有第一硅锗层、第一硅层和第二硅锗层，所述半导体衬底具有第一区域和第二区域，所述第二区域在第一区域两侧；在第二硅锗层表面形成硬掩膜层，去除第二区域的硬掩膜层、第二硅锗层和第一硅层直至暴露出第一硅锗层；去除第一区域的第一硅锗层和第二硅锗层之间的第一硅层；在第一区域的第一硅锗层和第二硅锗层之间形成隔离层；去除硬掩膜层，在第二区域形成第二硅层直至与第二硅锗层表面齐平；在第一区域的第二硅锗层表面形成栅极结构。所形成的晶体管能抑制短沟道效应，价格低廉，能与基于硅衬底的半导体器件集成。 | ||
| 申请公布号 | CN103258742B | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201210039634.9 | 申请日期 | 2012.02.21 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 刘佳磊 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有第一硅锗层、第一硅层和第二硅锗层，所述半导体衬底具有第一区域和第二区域，所述第二区域在第一区域两侧，所述第一硅锗层和第二硅锗层中锗的掺杂浓度为1％～50％；在第二硅锗层表面形成硬掩膜层，去除第二区域的硬掩膜层、第二硅锗层和第一硅层直至暴露出第一硅锗层；去除第一区域的第一硅锗层和第二硅锗层之间的第一硅层；在第一区域的第一硅锗层和第二硅锗层之间形成隔离层；去除硬掩膜层，在第二区域形成第二硅层直至与第二硅锗层表面齐平；在第一区域的第二硅锗层表面形成栅极结构，由第一区域的第二硅锗层作为源漏极之间的沟道。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||