| 发明名称 | 薄膜电晶体及其制造方法和具有该薄膜电晶体的显示装置 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI505477 | 申请公布日期 | 2015.10.21 |
| 申请号 | TW102123833 | 申请日期 | 2013.07.03 |
| 申请人 | 上海和辉光电有限公司 | 发明人 | 陈韦廷;黄俊杰 |
| 分类号 | H01L29/786 | 主分类号 | H01L29/786 |
| 代理机构 | 代理人 | 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼 | |
| 主权项 | 一种具有改进的闸极绝缘层的薄膜电晶体，包括绝缘基板、闸极、闸极绝缘层、主动半导体层和源电极与汲电极层，其中所述闸极绝缘层包括：第一氮化矽膜、设置于所述第一氮化矽膜之上的第二氮化矽膜、设置于所述第二氮化矽膜之上的第三氮化矽膜，所述第一氮化矽膜与所述第三氮化矽膜的厚度小于所述第二氮化矽膜的厚度，且所述第一氮化矽膜与所述第三氮化矽膜中的N-H键含量低于所述第二氮化矽膜中的N-H键含量。 | ||
| 地址 | 中国 | ||