一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件的制造方法，通过在形成锗硅遮蔽层以及锗硅临时侧壁的步骤之后、形成锗硅层的步骤之前增加进行氮化处理的步骤，在伪栅极硬掩膜、锗硅遮蔽层以及锗硅临时侧壁的表面形成富含氮悬垂键的结构，可以避免在锗硅工艺中在锗硅遮蔽层和锗硅临时侧壁以及伪栅极硬掩膜的表面上形成非正常的锗硅颗粒，因此可以提高制得的半导体器件的良率。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括： 步骤S101：提供半导体衬底，在所述半导体衬底的NMOS区和PMOS区分别形成包括伪栅极和伪栅极硬掩膜的伪栅极结构； 步骤S102：形成覆盖所述半导体衬底以及所述伪栅极硬掩膜的遮蔽材料层，对所述遮蔽材料层进行刻蚀以形成覆盖NMOS区的锗硅遮蔽层以及位于PMOS的伪栅极两侧的锗硅临时侧壁； 步骤S103：在所述半导体衬底内形成位于PMOS的伪栅极两侧的用于容置锗硅层的沟槽； 步骤S104：在所述沟槽内形成锗硅层； 其中，在所述步骤S102与所述步骤S104之间还包括：对所述伪栅极硬掩膜、所述锗硅遮蔽层以及所述锗硅临时侧壁进行氮化处理的步骤。