发明名称 SiC The manufacturing method of silicon carbide porous for heater using low temperature sintering
摘要 <p>본 발명은 저온 소결법을 이용한 히터용 탄화규소(SiC) 다공체의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 탄화규소(SiC) 다공체에 1종, 2종, 4종의 금속분말 중에서 선택되는 분말을 첨가하여 슬러리(slurry) 용액을 만들어 줌으로써, 금속분말의 크기와 첨가되는 양에 따라 저항을 조절할 수 있고, 탄화규소 다공체에 금속분말과 산화물인 프리트(Frit) 분말을 이용하여 슬러리 용액을 만든 후 일반적인 디핑(Dipping) 방법 또는 스프레이(Spray) 방식으로 코팅하여 탄화규소 다공체에 슬러리 용액을 안착시켜 줌으로써, 히터의 크기와는 무관하게 다공체 히터의 제조가 용이하며, 400 내지 1000℃의 프리트(Frit) 분말의 소결온도만으로 전도성을 확보할 수 있음으로써, 저온 소결을 통한 가격 경쟁력을 확보할 수 있고, 프리트(Frit) 분말의 종류, 함량, 입자 크기에 따라 소결 온도의 조절이 가능하며, 헤어 드라이기, 순간온수기, 냉온수기, 세탁기용 건조기, 가스레인지에 적용할 수 있으므로 그 사용 및 적용 대상이 광범위하다.</p>
申请公布号 KR101556966(B1) 申请公布日期 2015.10.05
申请号 KR20130159114 申请日期 2013.12.19
申请人 发明人
分类号 C04B35/565;C04B35/64;C04B38/00 主分类号 C04B35/565
代理机构 代理人
主权项
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