半导体存储装置及其制造方法

摘要

在半导体衬底的表面区域上形成成为位线的多个杂质扩散层，在半导体衬底的多个杂质扩散层上侧形成多个埋入绝缘膜。存储器元件的栅极在埋入绝缘膜之间经捕获膜形成，具有和埋入绝缘膜的高度位置大致相等的高度位置的多个第一多晶硅膜，和在多个埋入绝缘膜和多个第一多晶硅膜上施加形成、将多个第一多晶硅膜之间电连接起来的第二多晶硅膜。

主权项

1.一种半导体存储装置，其特征在于具有多个存储器元件，上述多个存储器元件的每一个中包括：在半导体衬底的表面区域中彼此分开地形成的一对杂质扩散层；在上述半导体衬底上的上述一对杂质扩散层彼此之间的区域中形成的捕获膜；以及在上述捕获膜上形成的栅极，上述多个存储器元件中彼此相邻的存储器元件，相互共用属于各自的上述一对杂质扩散层的一方，在上述彼此相邻的存储器元件的栅极彼此之间，埋入绝缘膜，并使上述绝缘膜覆盖上述共用的上述杂质扩散层的上面，上述栅极与位于该栅极两侧下方的上述杂质扩散层形成部分重叠。