电压控制的容性元件及半导体集成电路

摘要

N阱设置在P型衬底的上表面中，栅极绝缘膜和栅电极设置其上，栅电极连接到栅极端子。两个p⁺扩散区设置在N阱的表面中的两个区域中，两个区域之间夹有栅电极，p⁺扩散区连接到地电位布线。而且，n⁺扩散区设置在N阱的表面中，并连接到阱的端子。因此，在变抗器元件的栅电极和N阱之间产生电容。当降低栅极端子的电位时，两个p⁺扩散区吸收来自沟道区作为少数载流子的空穴。

主权项

1.一种半导体器件，其包括电压控制的容性元件，所述电压控制的容性元件具有响应于可变控制电压的可变电容特性，所述电压控制的容性元件包括：衬底；第一导电类型的第一半导体区；第二和第三半导体区，彼此分离地选择性地形成在所述第一半导体区中，其间插入所述第一半导体区的一部分，所述第二和第三半导体区的每个都是第二导电类型；绝缘膜，形成在所述第一半导体区的所述一部分上；导电膜，形成在所述绝缘膜上；第一布线，形成为共有的向所述第二和第三半导体区提供偏置电压，所述偏置电压不同于所述可变控制电压；第一导电类型的第四半导体区，形成在所述第一半导体区中，所述第二和第三半导体区的每个具有与所述导电膜相邻的第一侧面和与所述第一侧面相反的第二侧面，所述第四半导体区被定位在所述第二和第三半导体区之一的第二侧面处；以及第二和第三布线，所述可变控制电压被提供在第二和第三布线之间，并且第二和第三布线被形成为分别连接到所述第一半导体区和所述导电膜，所述第二布线的电压不同于所述偏置电压，所述第二布线通过所述第四半导体区连接到所述第一半导体区，其中所述第二和第三半导体区的每个都具有彼此面对的侧面，并且所述侧面的长度大于所述第二和第三半导体区之间的距离。