| 发明名称 | Cu-Ga合金、溅射靶、Cu-Ga合金的制造方法以及溅射靶的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种Cu-Ga合金，溅射靶、Cu-Ga合金的制造方法以及溅射靶的制造方法。包括多个相，由重量百分比至少为40％、至多为60％的镓(Ga)以及由铜和无法避免的杂质组成的剩余部分所构成。所述的多个相包括含有重量百分比至少为80％镓(Ga)的偏析相，所述偏析相的体积占Cu-Ga合金总体积的比率不超过1％。所述的多个相包括含有重量百分比至少为40％、至多为60％镓(Ga)的微粒，所述的微粒的直径至少为0.1μm、至多30μm，所述微粒的体积占Cu-Ga合金总体积的比率不低于90％。 | ||
| 申请公布号 | CN101906552A | 申请公布日期 | 2010.12.08 |
| 申请号 | CN201010198841.X | 申请日期 | 2010.06.04 |
| 申请人 | 日立电线株式会社 | 发明人 | 平本雄一;外木达也 |
| 分类号 | C22C9/00(2006.01)I;C22C28/00(2006.01)I;C22C1/02(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I | 主分类号 | C22C9/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 钟晶 |
| 主权项 | 一种Cu Ga合金，其由多个相构成；所述Cu Ga合金中含有重量百分比至少为40％且至多为60％的镓，剩余部分由铜和无法避免的杂质组成；其中，所述的多个相中包括含有重量百分比至少为80％的镓的偏析相，并且所述的偏析相体积占所述Cu Ga合金的总体积的比率不超过1％。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||