| 发明名称 | 嵌入了MRAM的智能功率集成电路 | ||
| 摘要 | 一种集成电路设备(300)包括使用相同的制造工艺技术在相同的基板(302)上形成的磁随机存取存储器(MRAM)架构和智能功率集成电路架构。该制造工艺技术是模块化工艺，其具有前端工艺和后端工艺。在示例性实施例中，智能功率架构包括功率电路部件(304)、数字逻辑部件(306)、和通过前端工艺形成的模拟控制部件(312)、以及通过后端工艺形成的传感器架构(308)。MRAM架构(310)包括通过前端工艺形成的MRAM电路部件(314)和通过后端工艺形成的MRAM单元阵列(310)。在一个实际的实施例中，传感器架构(308)包括由与MRAM单元阵列(316)利用的磁隧道结核材料相同的材料形成的传感器部件。同时制造MRAM架构(310)和智能功率架构有助于基板的有源电路模块上的可用的物理空间的高效的和成本有效的使用，导致了三维集成。 | ||
| 申请公布号 | CN101238520B | 申请公布日期 | 2010.11.10 |
| 申请号 | CN200680022985.1 | 申请日期 | 2006.06.22 |
| 申请人 | 爱沃斯宾技术公司 | 发明人 | 格雷戈里·W·格里恩凯维希;郑永植;罗伯特·W·贝尔德;马克·A·迪尔拉姆;埃里奇·J·萨尔特 |
| 分类号 | G11C11/00(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 穆德骏;黄启行 |
| 主权项 | 一种集成电路设备，包括：基板；磁随机存取存储器(MRAM)架构，其形成在所述基板上，所述MRAM架构包括：MRAM电路部件，其由前端层形成，所述前端层形成在所述基板上面；MRAM单元阵列，其由后端层形成，所述后端层包括在形成前端层之后形成的并且位于前端层上面的元件；和智能功率架构，其形成在所述基板上，所述智能功率架构包括由所述前端层形成的智能功率部件。 | ||
| 地址 | 美国亚利桑那州 | ||