发明名称 芯片后组装扇出型封装结构及其生产工艺
摘要 本发明涉及一种芯片后组装扇出型封装结构及其生产工艺,其特征是,包括扇出型封装基板,扇出型封装基板上表面设置焊盘,扇出型封装基板下表面设置阻焊层,阻焊层中布置RDL线路层,扇出型封装基板上设有连通上下表面的通孔,通孔中填充金属,RDL线路层和焊盘通过通孔中的金属互连,RDL线路层的焊盘上设有BGA球;在所述扇出型封装基板上表面设有介质材料,扇出型封装基板的焊盘嵌入介质材料中,介质材料上表面设有基板坝体,基板坝体的槽体中贴装芯片;所述芯片正面的芯片焊盘上设有凸点,芯片焊盘和凸点嵌入介质材料中,凸点与扇出型封装基板上表面的焊盘连接。本发明解决了芯片铝焊盘无法与基板工艺兼容的问题和扇出型装良率的问题,降低了封装成本。
申请公布号 CN104952745A 申请公布日期 2015.09.30
申请号 CN201510397407.7 申请日期 2015.07.08
申请人 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 发明人 郭学平;于中尧
分类号 H01L21/56(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L23/34(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I 主分类号 H01L21/56(2006.01)I
代理机构 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 代理人 殷红梅;刘海
主权项  一种芯片后组装扇出型封装结构,其特征是:包括扇出型封装基板(1),在扇出型封装基板(1)的上表面设置焊盘(4),在扇出型封装基板(1)的下表面设置阻焊层(2),阻焊层(2)中布置RDL线路层(3),在扇出型封装基板(1)上设有连通上下表面的通孔(6),通孔(6)中填充金属,RDL线路层(3)和焊盘(4)通过通孔(6)中的金属互连,在RDL线路层(3)的焊盘上设有BGA球(5);在所述扇出型封装基板(1)的上表面设有介质材料(7),扇出型封装基板(1)上表面的焊盘(4)嵌入介质材料(7)中,在介质材料(7)上表面设有基板坝体(8),在基板坝体(8)上开设槽体(9),槽体(9)由基板坝体(8)的上表面延伸至介质材料(7)的表面,在槽体(9)中贴装芯片(10);所述芯片(10)的正面设有芯片焊盘(11),芯片焊盘(11)上设有凸点(12),芯片(10)的正面朝下设置,芯片焊盘(11)和凸点(12)嵌入介质材料(7)中,凸点(12)与扇出型封装基板(1)上表面的焊盘连接。
地址 214135 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋