低位错密度和残余应力的LED外延结构

摘要

低位错密度和残余应力的LED外延结构，涉及半导体发光领域。本实用新型从下至上依次包括蓝宝石衬底、AlN缓冲层、u型GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层和P型GaN层。其结构特点是，所述u型GaN层从下至上依次包括u-GaN三维生长层、u-GaN二维块体生长层和u-GaN二维掺杂超晶格生长层。所述u-GaN二维掺杂超晶格生长层包括从下至上交替生长的变温变压掺杂GaN层和变温变压未掺杂GaN层，变温变压掺杂GaN层中的掺杂元素为Si。同现有技术相比，本实用新型通过结构的变化，有效降低位错密度和残余应力，提高器件的光电特性。

主权项

低位错密度和残余应力的LED外延结构，它从下至上依次包括蓝宝石衬底（1）、AlN缓冲层（2）、u型GaN层（3）、N型GaN层（4）、有源层（5）、电子阻挡层（6）和P型GaN层（7）， 其特征在于：所述u型GaN层（3）从下至上依次包括u‑GaN三维生长层（3‑1）、u‑GaN二维块体生长层（3‑2）和u‑GaN二维掺杂超晶格生长层（3‑3），所述u‑GaN二维掺杂超晶格生长层（3‑3）包括从下至上交替生长的变温变压掺杂GaN层（3‑3A）和变温变压未掺杂GaN层（3‑3B），变温变压掺杂GaN层（3‑3A）中的掺杂元素为Si。