全周闸架构的选择蚀刻;SELECTIVE ETCHING FOR GATE ALL AROUND ARCHITECTURES

摘要

本案关系于一种蚀刻牺牲材料的方法。该方法包含：在一反应室内供给半导体基板，其中该基板包含通道配置于该基板上及牺牲层，配置在该通道的至少一部份上。该方法更包含供给卤素间(interhalogen)蒸气至该反应室，以该卤素间蒸气蚀刻该牺牲层的至少一部份，并由该牺牲层下曝露该通道的至少一部份。