发明名称 |
CIRCUIT INTEGRE A COMPOSANTS, PAR EXEMPLE TRANSISTORS NMOS, A REGIONS ACTIVES A CONTRAINTES EN COMPRESSION RELACHEES |
摘要 |
Circuit intégré, comprenant un substrat (1) et au moins un composant défavorablement sensible aux contraintes en compression (TRN) disposé au moins partiellement au sein d'une région active (10) du substrat (1) limitée par une région isolante (2). Le circuit comprend au moins une tranchée électriquement inactive (20) située au moins dans ladite région isolante et contenant un domaine interne (203) configuré pour permettre une réduction de contraintes en compression dans ladite région active. |
申请公布号 |
FR3018139(A1) |
申请公布日期 |
2015.09.04 |
申请号 |
FR20140051616 |
申请日期 |
2014.02.28 |
申请人 |
STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS |
发明人 |
RIVERO CHRISTIAN;BOUTON GUILHEM;FORNARA PASCAL |
分类号 |
H01L21/336;H01L21/8249 |
主分类号 |
H01L21/336 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|