| 主权项 |
一种二次电池的充电装置，包括充电控制电路主模块（110）和逻辑控制电路主模块（120），其特征在于，还包括：恒温充电模块（330）和恒流充电模块（540）； 其中，所述恒温充电模块（330）耦接于所述充电控制电路主模块（110），并且，在充电过程中，所述充电装置的温度超过预定温度值后，所述恒温充电模块（330）用于调节控制充电电流以使充电装置基本地维持在预定温度值； 所述恒流充电模块（540）耦接于所述充电控制电路主模块（110），并且，在充电过程中，所述充电电流超过预定电流值后，所述恒流充电模块（540）用于调节控制充电电流以使其基本地维持在预定电流值； 并且，其中所述充电装置包括所述二次电池的充电回路，所述充电回路中设置有用于控制二次电池的充电电流的驱动MOS晶体管（M1）； 所述恒温充电模块（330）包括： 用于采样反馈温度信号的三极管（Q1）； 用于执行比较运算的第一运算放大器（OA1）；以及 第一选通管（M3），其受所述第一运算放大器（OA1）的输出端控制以选择性地输出温度反馈信号至所述驱动MOS晶体管（M1）的栅极； 其中，所述第一选通管（M3）为PMOS/NMOS晶体管，所述PMOS/NMOS晶体管的栅极和漏极耦接于所述第一运算放大器（OA1）的输出端，所述PMOS/NMOS晶体管的源极耦接至所述驱动MOS晶体管的栅极； 所述恒流充电模块（540）包括： 用于采样所述充电回路中的充电电流的采样MOS晶体管（M2）； 与所述采样MOS晶体管（M2）串联连接的电阻（R）； 用于执行比较运算的第二运算放大器（OA2）；以及 第二选通管（M5），其受所述第二运算放大器（OA2）的输出端控制以选择性地输出充电电流反馈信号至所述驱动MOS晶体管（M1）和所述采样MOS晶体管（M2）的栅极； 其中，所述第二选通管（M5）为PMOS/NMOS晶体管，所述PMOS/NMOS晶体管的栅极和漏极耦接于所述第二运算放大器（OA2）的输出端，所述PMOS/NMOS晶体管的源极耦接至所述驱动MOS晶体管（M1）和所述采样MOS晶体管（M2）的栅极。 |
