| 发明名称 | 无掺杂剂的AlGaN基紫外发光二极管及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明一种无掺杂剂的AlGaN基紫外发光二极管及制备方法，其中无掺杂剂的AlGaN基紫外发光二极管，包括：一衬底；一无掺杂剂n型层，其制作在衬底上；一有源区，其制作在无掺杂剂n型层上；一无掺杂剂p型层，其制作在有源区上。本发明不用引入任何参杂剂，可以提高晶体材料质量，并简化材料的生长步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN104882522A | 申请公布日期 | 2015.09.02 |
| 申请号 | CN201510308850.2 | 申请日期 | 2015.06.08 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 张连;张韵;王军喜;李晋闽 |
| 分类号 | H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/32(2010.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种无掺杂剂的AlGaN基紫外发光二极管，包括：一衬底；一无掺杂剂n型层，其制作在衬底上；一有源区，其制作在无掺杂剂n型层上；一无掺杂剂p型层，其制作在有源区上。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||