发明名称 |
半导体装置 |
摘要 |
本发明提供一种半导体装置。上述半导体装置包括一基板,包括一电路区和一密封环区,上述密封环区围绕上述电路区。一密封环结构,设置于上述密封环区的上方,上述密封环结构具有一第一部分和位于上述第一部分上方的一第二部分,其中上述第一部分具有一宽度W1,上述第二部分具有一宽度W2,且上述宽度W1小于上述宽度W2。本发明可明显地提升封装工艺的良率。 |
申请公布号 |
CN102593076B |
申请公布日期 |
2015.09.02 |
申请号 |
CN201110148043.0 |
申请日期 |
2011.05.25 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
杨庆荣;刘豫文;唐修敏;陈宪伟;杨宗颖;于宗源 |
分类号 |
G03F7/20(2006.01)I;H01L23/28(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/20(2006.01)I |
代理机构 |
隆天知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
张浴月;张志杰 |
主权项 |
一种半导体装置,包括:一基板,包括一电路区和一密封环区,该密封环区围绕该电路区;以及一密封环结构,设置于该密封环区的上方,该密封环结构具有一第一部分和位于该第一部分上方的一第二部分,其中该第一部分包括:至少一第一金属层,定义出该第一部分的一宽度W1;以及至少一第一介层孔层,直接位于该至少一第一金属层上,该至少一第一介层孔层的一介层孔具有一宽度,且该宽度小于该宽度W1;该第二部分包括:至少一第二金属层,定义出该第二部分的一宽度W2;以及至少一第二介层孔层,直接位于该至少一第二金属层上,该至少一第二介层孔层的一介层孔具有一宽度,且该宽度小于该宽度W2,且该宽度W1小于该宽度W2。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |