发明名称 一种IGBT驱动与保护电路
摘要 本发明属于电力电子技术领域,提供一种有效实现掉电保护,不会被误开通的IGBT驱动与保护电路;包括共射放大电路、推挽驱动电路与IGBT,前者设有PWM信号输入端,用于将所述PWM信号放大;后者设有VDD电源输入端,用于接受VDD电源供电;在共射放大电路与PWM信号输入端之间连接有一个NPN三极管,PWM信号输入端从其发射极引出,其基极经过电阻后,设置有VCC电源输入端,用于接受VCC电源供电;其集电极经过电阻后,连接至VDD电源输入端;具有掉电保护、栅极保护、集电极过压保护功能,是一种稳定可靠的IGBT驱动电路。
申请公布号 CN101764595B 申请公布日期 2015.09.02
申请号 CN200910225997.X 申请日期 2009.11.23
申请人 宁波德业变频技术有限公司 发明人 张和君;刘远进;牛涛
分类号 H03K17/08(2006.01)I;H03K17/567(2006.01)I 主分类号 H03K17/08(2006.01)I
代理机构 宁波市鄞州金源通汇专利事务所(普通合伙) 33236 代理人 唐迅
主权项 一种IGBT驱动与保护电路,包括共射放大电路、推挽驱动电路与IGBT,所述共射放大电路设有PWM信号输入端,用于将所述PWM信号放大;所述推挽驱动电路设有VDD电源输入端,用于接受VDD电源供电;其特征在于:在所述共射放大电路与PWM信号输入端之间连接有一个NPN三极管Q1,所述PWM信号输入端从NPN三极管Q1的发射极引出,其基极经过电阻R1后,设置有VCC电源输入端,用于接受VCC电源供电;其集电极经过电阻R2后,连接至所述VDD电源输入端,且共射放大电路由一个NPN三极管Q2与电阻R3连接组成,且NPN三极管Q2的基极连接至所述NPN三极管Q1的集电极和电阻R2的连接点,NPN三极管Q2的发射极经过电阻R3连接到VDD电源,上述的推挽驱动电路包括NPN三极管Q3、PNP三极管Q4,其中NPN三极管Q3的基极连接第四电阻R4的一端,NPN三极管Q3的发射极连接电阻R6的一端,PNP三极管Q4的基极连接电阻R5的一端,电阻R4的另一端和电阻R5的另一端均连接电阻R3与NPN三极管Q2集电极的连接点,PNP三极管Q4的发射极连接电阻R7的一端,电阻R8并联在所述IGBT的栅极和发射极之间。
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