| 发明名称 | 形成于半导体基板上之导电凸块及其制法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI497669 | 申请公布日期 | 2015.08.21 |
| 申请号 | TW101109805 | 申请日期 | 2012.03.22 |
| 申请人 | 矽品精密工业股份有限公司 | 发明人 | 简丰隆;林怡宏;陈宜兴 |
| 分类号 | H01L23/488;H01L21/60 | 主分类号 | H01L23/488 |
| 代理机构 | 代理人 | 陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼 | |
| 主权项 | 一种形成于半导体基板上之导电凸块，该半导体基板上具有复数焊垫及绝缘保护层，其中，该绝缘保护层形成有复数第一开孔，以令该焊垫外露于该对应之第一开孔，该导电凸块包括：金属层，系形成于外露于各该第一开孔中之焊垫上；金属柱，系形成于该金属层上；导电材料，系形成于该金属柱上；以及其中，该导电凸块与该第一开孔的孔壁之间系具有间距，以外露出该焊垫之部分表面。 | ||
| 地址 | 台中市潭子区大丰路3段123号 | ||