发明名称 |
一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法,属于半导体技术领域。所述外延片包括:衬底,和依次覆盖在所述衬底上的u型GaN层、n型GaN层、多量子阱层、以及p型GaN层,该外延片还包括:设于n型GaN层与多量子阱层之间的势垒结构层,该势垒结构层包括N层势垒结构,每层势垒结构包括:依次生长的u型GaN子层和p型GaN子层。本发明通过在n型GaN层与多量子阱层之间增设由N层势垒结构组成的势垒结构层,形成多层能量势垒,能有效降低大电流密度下n型GaN层中的电子注入多量子阱层的速率,提高了电子和空穴在多量子阱层中的复合率,进而提高了大电流密度下LED芯片的发光效率。 |
申请公布号 |
CN104810446A |
申请公布日期 |
2015.07.29 |
申请号 |
CN201510093653.3 |
申请日期 |
2015.03.03 |
申请人 |
华灿光电股份有限公司 |
发明人 |
孙玉芹;王江波;刘榕 |
分类号 |
H01L33/14(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/14(2010.01)I |
代理机构 |
北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 |
代理人 |
徐立 |
主权项 |
一种GaN基发光二极管外延片,所述外延片包括:衬底(100),和依次覆盖在所述衬底(100)上的u型GaN层(101)、n型GaN层(102)、多量子阱层(104)、以及p型GaN层(105),所述多量子阱层(104)包括:交替生长的InGaN阱层(114)和GaN垒层(124),其特征在于,所述外延片还包括:设于所述n型GaN层(102)与所述多量子阱层(104)之间的势垒结构层(103),所述势垒结构层(103)包括N层势垒结构,每层所述势垒结构包括:依次生长的u型GaN子层(113)和p型GaN子层(123),所述u型GaN子层(113)的厚度d1的取值范围为:0nm<d1≤50nm,所述p型GaN子层(123)的厚度d2的取值范围为:0nm<d2≤50nm,所述N为大于或者等于2的整数。 |
地址 |
430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号 |