发明名称 |
萘并二呋喃基的半导体聚合物及其制备方法、用途 |
摘要 |
本发明提供了一种萘并二呋喃基的半导体聚合物及其制备方法、用途;所述半导体聚合物的结构式如式(Ⅰ)或(II)所示:<img file="DDA00003185488900011.GIF" wi="1347" he="368" />其中,50>n>1;本发明还涉及前述萘并二呋喃基的半导体聚合物的制备方法以及其作为半导体有机层在聚合物太阳能电池测试中的用途。本发明披露的合成方法简单有效;原料易于合成制备,合成的成本低,得到的目标化合物纯度高;本发明的萘并二呋喃基的半导体聚合物主链具有刚性平面的大π共轭体系和侧链为柔性促溶的烷基链,材料可溶液加工处理,且具有低的能带隙,可以应用于光伏器件。 |
申请公布号 |
CN103304781B |
申请公布日期 |
2015.07.08 |
申请号 |
CN201310176074.6 |
申请日期 |
2013.05.14 |
申请人 |
上海交通大学 |
发明人 |
李树岗;张清;邓平;胡超;李胜夏 |
分类号 |
C08G61/12(2006.01)I;C07D519/00(2006.01)I |
主分类号 |
C08G61/12(2006.01)I |
代理机构 |
上海汉声知识产权代理有限公司 31236 |
代理人 |
郭国中;牛山 |
主权项 |
一种萘并二呋喃基的半导体聚合物,其特征在于,所述半导体聚合物的结构式如式(Ⅰ)或(II)所示:<img file="FDA0000642337830000011.GIF" wi="989" he="1126" />其中,50>n>1。 |
地址 |
200240 上海市闵行区东川路800号 |