| 发明名称 | 半导体器件的半导体衬垫 | ||
| 摘要 | 本发明提供了半导体器件的半导体衬垫。本发明涉及一种鳍式场效应晶体管(FinFET)。示例性FinFET包括具有主要表面的衬底；从主要表面突出并包括下部、上部及位于上部和下部之间的中部的鳍结构，其中，鳍结构包括具有第一晶格常数的第一半导体材料；延伸到中部的相对两侧中的一对凹槽；以及邻接下部并包括具有大于第一晶格常数的第二晶格常数的第二半导体材料的半导体衬垫。 | ||
| 申请公布号 | CN104752186A | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
| 申请号 | CN201410848041.6 | 申请日期 | 2014.12.29 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 江国诚;王志豪;卡洛斯·H.·迪亚兹 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种鳍式场效应晶体管(FinFET)，包括：衬底，具有主要表面；鳍结构，从所述主要表面突出并包括下部、上部及位于所述上部和所述下部之间的中部，其中，所述鳍结构包括具有第一晶格常数的第一半导体材料；一对凹槽，延伸到所述中部的相对两侧中；以及半导体衬垫，邻接所述下部并包括具有大于所述第一晶格常数的第二晶格常数的第二半导体材料。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||