肖特基二极管及其制备方法

摘要

一种肖特基二极管，其包括：一第一金属层，一半导体层及一第二金属层，所述第一金属层与所述第二金属层间隔设置并分别与所述半导体层电连接，所述第一金属层与所述半导体层的电连接为肖特基接触，所述第二金属层与所述半导体层的电连接为欧姆接触，其特征在于，所述半导体层包括一绝缘高分子材料及分散于该绝缘高分子材料中的多个碳纳米管。本发明还涉及所述肖特基二极管的制备方法。

主权项

一种肖特基二极管，其包括：一第一金属层，一半导体层及一第二金属层，所述第一金属层与所述第二金属层间隔设置并分别与所述半导体层电连接，所述第一金属层与所述半导体层的电连接为肖特基接触，所述第二金属层与所述半导体层的电连接为欧姆接触，其特征在于，所述半导体层包括一绝缘高分子材料及分散于该绝缘高分子材料中的多个碳纳米管，该多个碳纳米管均被聚乙烯亚胺包覆。