发明名称 钎料、钎料膏、陶瓷电路板、陶瓷主电路板及功率半导体模块
摘要 提供一种钎料及使用该钎料的钎料膏,所述钎料将陶瓷基板和金属板的粘合强度维持在以往技术水平上,并且其中In的添加量减少,混合粉末是由Ag、In、Cu构成的合金粉末、Ag粉末及活性金属氢化物粉末混合而成的,包含0.5~5.0重量%的、粒子的等效圆平均直径是10~25μm的活性金属氢化物粉末,所述合金粉末、Ag粉末及活性金属氢化物粉末的粒子的等效圆平均直径为合金粉末≥活性金属氢化物粉末>Ag粉末的关系,具有10%累计粒径(d10)是3~10μm、50%累计粒径(d50)是10~25μm、90%累计粒径(d90)是30~50μm的粒度分布,并且在频度分布上,峰值在50%累计粒径(d50)和90%累计粒径(d90)之间。
申请公布号 CN103619779B 申请公布日期 2015.07.01
申请号 CN201280028859.2 申请日期 2012.07.02
申请人 日立金属株式会社 发明人 今村寿之;藤田卓;渡边纯一
分类号 C04B37/02(2006.01)I;B23K35/22(2006.01)I;B23K35/30(2006.01)I;C22C5/06(2006.01)I;H01L23/12(2006.01)I;H05K3/38(2006.01)I 主分类号 C04B37/02(2006.01)I
代理机构 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 代理人 齐永红
主权项 一种钎料,其特征在于:是一种至少由合金粉末、Ag粉末及活性金属氢化物粉末混合制成的混合粉末,所述合金粉末由Ag:55~80重量%、In:1~5重量%、余量Cu及不可避免的杂质构成,所述钎料用于粘合陶瓷基板和金属板;所述Ag粉末及所述活性金属氢化物粉末不含除不可避免的杂质之外的In;所述混合粉末中所含的Ag相对于Ag及Cu的总量的组成比Ag/(Ag+Cu)为0.57~0.85;含有0.27~5.17重量%的、粒子的等效圆平均直径为10~25μm的活性金属氢化物粉末;所述合金粉末、Ag粉末及活性金属氢化物粉末的粒子的等效圆平均直径的关系为合金粉末≥活性金属氢化物粉末>Ag粉末;所述混合粉末中,在依据JIS Z 8825‑1测量了粒度分布时的体积基准的累积分布上,具有10%累计粒径(d10)是3~10μm、50%累计粒径(d50)是10~35μm、90%累计粒径(d90)是29.4~50μm的粒度分布,并且在频度分布上,峰值在50%累计粒径(d50)和90%累计粒径(d90)之间。
地址 日本东京都