| 发明名称 | 一种卡巴他赛晶型W及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种卡巴他赛晶型W及其制备方法。晶型W的X-射线粉末衍射图谱特征峰2θ为4.4，7.8，8.5，11.4，12.8，15.3，17.0，20.4，21.4，22.5，23.4，27.8，29.7，29.9，33.3和34.3±0.2°。制备方法是将任意晶型的卡巴他赛溶于适量的有机溶剂中，然后边搅拌边向其中缓慢加入去离子水，然后降至环境温度，静置析晶；将上述混合液过滤、洗涤并干燥而得到卡巴他赛晶型W。本发明提供的卡巴他赛晶型W与已知专利文献报道的晶型相比在晶型稳定性方面有很大优势，而且该晶型的制备过程比较简单，对环境和设备没有苛刻的要求，可重复性强，因此利于工业化生产。 | ||
| 申请公布号 | CN103450119B | 申请公布日期 | 2015.06.17 |
| 申请号 | CN201310440458.4 | 申请日期 | 2013.09.24 |
| 申请人 | 天津炜捷制药有限公司 | 发明人 | 宋洪海;王兴锋;林松 |
| 分类号 | C07D305/14(2006.01)I | 主分类号 | C07D305/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 天津才智专利商标代理有限公司 12108 | 代理人 | 庞学欣 |
| 主权项 | 一种卡巴他赛晶型W，其特征在于：所述的卡巴他赛晶型W的X‑射线粉末衍射图谱特征峰2θ为4.4，7.8，8.5，11.4，12.8，15.3，17.0，20.4，21.4，22.5，23.4，27.8，29.7，29.9，33.3和34.3±0.2°。 | ||
| 地址 | 300480 天津市汉沽区现代产业区栖霞路28号 | ||