Fin-Fet非易失性存储单元以及阵列和制造方法

摘要

一种非易失性存储单元具有衬底层，在衬底层上具有第一导电性类型的鳍形半导体部件。鳍形部件具有第二导电性类型的第一区域和与第一区域间隔开的第二导电性类型的第二区域，沟道区在第一区域与第二区域之间延伸。鳍形部件具有在第一区域与第二区域之间的两个侧表面和顶表面。字线邻近于第一区域且被电容地耦合到沟道区的第一部分的顶表面和两个侧表面。浮置栅极邻近于字线且被与顶表面绝缘，并被电容地耦合到沟道区的第二部分的两个侧表面。

主权项

一种非易失性存储单元，包括：衬底层；在所述衬底层上的第一导电性类型的鳍形半导体部件，具有第二导电性类型的第一区域和与第一区域间隔开的第二导电性类型的第二区域，沟道区在第一区域与第二区域之间延伸；所述鳍形部件具有在第一区域与第二区域之间的两个侧表面和顶表面；字线，邻近于第一区域并被电容地耦合至沟道区的第一部分的所述顶表面和两个侧表面；浮置栅极，其邻近于字线，被电容地耦合到沟道区的第二部分的两个侧表面；耦合栅极，其被电容地耦合到浮置栅极；以及擦除栅极，其与第二区域绝缘且邻近于浮置栅极和耦合栅极。