| 发明名称 | 侧向功率金属氧化物半导体场效应电晶体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI487105 | 申请公布日期 | 2015.06.01 |
| 申请号 | TW098143207 | 申请日期 | 2009.12.16 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 林正基;林镇元;连士进;吴锡垣 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 代理人 | 祁明辉 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼;林素华 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼 | |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：一基板，包括一第一型材料，环状之一高压第二型井系配置于该基板中；一第一型顶部区域，配置于该高压第二型井之一第一区块中，其中该第一区块包括分离之复数个第一片状物，且该些第一片状物系由一第一组圆弧所定义；一第二型梯度区域，配置于该第一型顶部区域上；以及一第二区块位于该高压第二型井中，且该第二区块包括分离之复数个第二片状物，该些第二片状物系由一第二组圆弧所定义，其中该第一区块之一或多个该些第一片状物系与该第二区块之一或多个该些第二片状物交错配置。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 | ||