具有减小的间距和线间隔的集成电路及其形成方法

摘要

本发明的方法包括实施双重图案化工艺以形成第一芯轴、第二芯轴和第三芯轴，其中，第二芯轴位于第一芯轴和第三芯轴之间，以及蚀刻第二芯轴以将第二芯轴切割成第四芯轴和第五芯轴，其中，通过开口将第四芯轴与第五芯轴分隔开。在第一芯轴、第三芯轴、第四芯轴和第五芯轴的侧壁上形成间隔件层，其中，间隔件层完全填充开口。去除间隔件层的水平部分，而不去除间隔件层的垂直部分。将第一芯轴、第三芯轴、第四芯轴、第五芯轴和间隔件层的垂直部分用作蚀刻掩模以蚀刻目标层，从而在目标层中形成沟槽。使用填充材料填充该沟槽。本发明还提供具有减小的间距和线间隔的集成电路及其形成方法。

主权项

一种方法，包括：实施双重图案化工艺以形成彼此平行的第一芯轴、第二芯轴和第三芯轴，其中，所述第二芯轴位于所述第一芯轴和所述第三芯轴之间；蚀刻所述第二芯轴以将所述第二芯轴切割成第四芯轴和第五芯轴，其中，通过开口将所述第四芯轴与所述第五芯轴分隔开；在所述第一芯轴、所述第三芯轴、所述第四芯轴、和所述第五芯轴的侧壁上形成间隔件层，其中，所述间隔件层完全填充所述开口；去除所述间隔件层的水平部分，而不去除所述间隔件层的垂直部分；将所述第一芯轴、所述第三芯轴、所述第四芯轴、所述第五芯轴和所述间隔件层的垂直部分用作蚀刻掩模以蚀刻目标层，从而在所述目标层中形成沟槽；以及使用填充材料填充所述沟槽。