一种基于光载流子辐射技术的高功率紫外激光光束特性测量记录方法

摘要

本发明提供一种基于光载流子辐射技术的高功率紫外激光光束特性测量记录方法，其特征在于：紫外激光光束照射到掺杂半导体材料表面产生激光退火效应，使得半导体材料由于掺杂引起的损伤得到修复，其修复程度的二维分布与激光束的光强分布有关。通过光载流子辐射技术测量掺杂半导体材料损伤修复情况的二维分布，经标定即可获得紫外激光光束的二维光强分布。本发明优点在于：本发明可以直接永久记录高功率紫外激光光束特性；本发明可以通过简单标定和数据处理即可获得高功率紫外激光光束特性。

主权项

一种基于光载流子辐射技术的高功率紫外激光光束特性测量记录方法，其基本测量/记录过程包括：步骤(1)、被测高功率紫外激光光束直接照射到掺杂半导体材料表面，以记录紫外激光光束二维光强分布；步骤(2)、利用光载流子辐射技术对照射区域进行成像，通过标定获得紫外激光光束的二维光强分布；所述的对照射区域进行成像的光载流子辐射技术可采用光电探测器进行扫描式成像或通过InGaAs红外相机直接成像，得到光载流子辐射信号二维强度分布S(x,y)；标定过程即根据光载流子辐射信号二维强度分布S(x,y)及入射紫外激光光束二维光强分布E(x,y)与光载流子辐射信号二维强度分布S(x,y)的关系E(x,y)＝f(S(x,y))，计算得到入射紫外激光光束二维光强分布E(x,y)；所述的入射紫外激光光束二维光强分布与光载流子辐射信号二维强度分布的关系E(x,y)＝f(S(x,y))可通过改变入射到掺杂半导体材料表面的紫外激光总能量E，得到不同入射激光总能量时光载流子辐射信号总强度S，绘制S‑E曲线拟合得到。