包含非自对准水平和垂直控制栅极的存储器单元

摘要

本公开涉及一种包含非自对准水平和垂直控制栅极的存储器单元，其包括在被制作于衬底中的沟槽中延伸的垂直选择栅极、在衬底上方延伸的浮置栅极、以及在浮置栅极上方延伸的水平控制栅极，其中浮置栅极还在垂直选择栅极的一部分上方延伸非零重叠距离。主要应用于制作可由热电子注入编程的分栅式存储器单元。

主权项

一种存储器单元，包括：垂直选择栅极，在被制作于半导体衬底中的沟槽中延伸；浮置栅极，在所述衬底上延伸；水平控制栅极，在所述浮置栅极上方延伸，其中所述浮置栅极具有在所述衬底的上表面下方延伸的突起；以及第一介电层，定位在所述衬底内，并且在所述浮置栅极的所述突起与所述垂直选择栅极之间。