发明名称 具有用于减少影像杂讯之掺杂半导体区域之影像感测器;IMAGE SENSOR WITH DOPED SEMICONDUCTOR REGION FOR REDUCING IMAGE NOISE
摘要 本发明揭示一种包含具有一背侧表面及一前侧表面之一半导体层的背侧照明式影像感测器。该半导体层包含一像素阵列区域,该像素阵列区域包含经组态以透过该半导体层之该背侧表面接收影像光之复数个光电二极体。该半导体层亦包含一周边电路区域,该周边电路区域包含用于操作该复数个光电二极体之周边电路元件,该周边电路区域与该像素阵列区域接界。该等周边电路元件发射光子。该周边电路区域亦包含一掺杂半导体区域,该掺杂半导体区域经定位以吸收由该等周边电路元件发射之该等光子,以防止该复数个光电二极体接收该等光子。
申请公布号 TW201517254 申请公布日期 2015.05.01
申请号 TW103108002 申请日期 2014.03.07
申请人 豪威科技股份有限公司 OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC. 发明人 陈晴飞 CHEN, QINGFEI;单庆伟 SHAN, QINGWEI;钱胤 QIAN, YIN;戴 戴森H TAI, DYSON H.
分类号 H01L27/14(2006.01);H01L31/10(2006.01) 主分类号 H01L27/14(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国 US