| 主权项 |
一种用于一半导体晶片之导电结构，该半导体晶片包含一半导体基材、复数第一衬垫、复数第二衬垫、一保护层及复数凸块下金属层(Under Bump Metal,UBM)，各该第一衬垫与各该第二衬垫系间隔形成于该半导体基材之一衬垫区上，该衬垫区系定义有一第一区域、一第二区域及一第三区域，该第一区域位于该第二区域与该第三区域之间，各该第一衬垫与各该第二衬垫之一部分系于该第一区域相邻且交错排列，并且由该第一区域分别向该第二区域及该第三区域延伸，而该保护层形成于该半导体基材上，并具有复数第一开口以局部曝露出各该第一衬垫及各该第二衬垫，各该凸块下金属层形成于该保护层上，并经由该保护层所形成之各等第一开口与各该第一衬垫及各该第二衬垫电性相接，该导电结构包含：复数导电凸块，分别形成于各该第一衬垫及各该第二衬垫上，各该凸块下金属层位于各该导电凸块之下方，以使各该导电凸块经由各该凸块下金属层与各该第一衬垫及各该第二衬垫电性连接；其中，各该导电凸块具有一第一凸块宽度位于该第一区域及一第二凸块宽度位于该第二区域及该第三区域之其中之一，该第一凸块宽度系小于该第二凸块宽度，并且任二相邻之该导电凸块于该第一区域适可相互投影形成一第一重叠区域。
|
