发明名称 测试结构及其形成方法、测试结构的测试方法
摘要 本发明提供一种测试结构及其形成方法、测试方法,所述测试结构包括第一测试键和第二测试键。第一测试键包括:多个第一隔离结构;由多个第一隔离结构在基底中围出的多个矩形测试有源区,沿矩形对角线方向排布的测试有源区的顶点重合,形成交界点;位于基底表面上的多条第一测试栅。第二测试键包括第二隔离结构和第二隔离结构表面上的多条第二测试栅。在第一测试键包含了多个交界点,交界点更容易暴露浅沟槽工艺的问题;第二测试键中不会发生浅沟槽隔离缺角缺陷;通过第一测试栅和第二测试栅的桥接状况的检测与对比,模拟晶圆内部浅沟槽缺角缺陷的发生情况,进而对浅沟槽缺角缺陷造成的栅极桥接进行准确的失效分析。
申请公布号 CN104576612A 申请公布日期 2015.04.29
申请号 CN201310505134.4 申请日期 2013.10.23
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 陈建奇
分类号 H01L23/544(2006.01)I;H01L21/71(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I 主分类号 H01L23/544(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 骆苏华
主权项 一种测试结构,其特征在于,包括:基底;位于所述基底上的第一测试键和第二测试键;其中,所述第一测试键包括:位于所述基底中的多个第一隔离结构,所述第一隔离结构为浅沟槽隔离结构;由所述多个第一隔离结构在所述基底中围出的多个测试有源区,所述测试有源区为矩形,所述多个测试有源区呈阵列式排布,所述多个测试有源区沿阵列行、列方向间隔排布,且沿矩形对角线方向相邻接,沿矩形对角线方向相邻接的测试有源区顶点相重合,形成交界点;位于所述基底表面的多条第一测试栅,所述多条第一测试栅平行排列,相邻第一测试栅露出所述交界点;所述第二测试键包括:位于所述基底中的第二隔离结构;位于所述第二隔离结构表面的多条第二测试栅,所述多条第二测试栅平行排列。
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