强电介质器件

摘要

一种强电介质器件，具备：下部电极（第1电极）（14a），形成在硅基板（第1基板）（10）的一表面侧；强电介质膜（14b），形成在下部电极（14a）的与第1基板（10）侧相反的一侧；以及上部电极（第2电极）（14c），形成在强电介质膜（14b）的与下部电极（14a）侧相反的一侧，强电介质膜（14b）由与硅之间存在晶格常数差的强电介质材料形成。在下部电极（14a）的正下方设置有缓冲层（14d），缓冲层（14d）由与强电介质膜（14b）之间的晶格匹配性比硅好的材料形成，在第1基板（10）上形成有空洞（10a），该空洞（10a）使缓冲层（14d）的与下部电极（14a）侧相反的一侧的表面露出。

主权项

一种强电介质器件，具有器件主体，该器件主体具备：硅基板；第1电极，形成在所述硅基板的一表面侧；强电介质膜，形成在所述第1电极的与所述硅基板侧相反的一侧；以及第2电极，形成在所述强电介质膜的与所述第1电极侧相反的一侧；所述强电介质膜由与硅之间存在晶格常数差的强电介质材料形成，其特征在于，在所述硅基板和所述第1电极之间设置有缓冲层，该缓冲层由与所述强电介质膜之间的晶格匹配性比硅好的材料形成，所述硅基板形成有空洞，该空洞使所述缓冲层的与所述第1电极侧相反的表面露出，所述第1电极作为下部电极被配置在所述强电介质膜的下表面侧，所述第2电极作为上部电极被配置在所述强电介质膜的上表面侧，所述缓冲层被设置在所述下部电极的正下方，所述缓冲层的下表面的至少一部分通过所述硅基板的所述空洞而露出，在所述硅基板的所述一表面侧具备加强层，该加强层被层积在具备所述缓冲层、所述下部电极、所述强电介质膜和所述上部电极的层积结构的至少一部分上而对所述层积结构进行加强，所述器件主体具备框状的框架部、和配置在所述框架部的内侧的配重部，所述配重部经由所述硅基板的所述一表面侧的悬臂部被摇动自如地支承在所述框架部上，在所述悬臂部上，形成有具备所述下部电极、所述强电介质膜和所述上部电极的功能部，所述功能部构成随着所述悬臂部的振动而产生交流电压的发电部，所述悬臂部由所述缓冲层构成，所述硅基板是所述一表面为(100)晶面的单结晶硅基板，所述缓冲层由从SrRuO₃、(Pb，La)TiO₃、PbTiO₃、MgO、LaNiO₃的组中选择的一种材料形成，或者由Pt膜与SrRuO₃膜的层叠膜构成。