化合物半导体器件及其制造方法

摘要

实现了一种高可靠性高电压耐受性化合物半导体器件，其能够改善器件运行速度、具有高雪崩耐受性、抗浪涌、在应用于例如逆变电路时不需要连接任何外部二极管并且在即使产生空穴时也实现稳定的运行，以及减轻电场在栅电极上的集中并由此实现电压耐受性的进一步提高。栅电极形成为利用电极材料通过栅极绝缘膜填充在堆叠化合物半导体结构中形成的电极凹陷，并且在堆叠化合物半导体结构中形成的场板凹陷填充有p型半导体，由此形成与堆叠化合物半导体结构接触的p型半导体层。

主权项

一种化合物半导体器件，包括：堆叠化合物半导体结构；在所述堆叠化合物半导体结构上形成的栅电极；在所述堆叠化合物半导体结构上形成的源电极和漏电极，以及在所述堆叠化合物半导体结构上形成的并且具有与所述堆叠化合物半导体结构所具有的导电类型相反的导电类型的半导体层，其中所述栅电极和所述半导体层在平面视图中在所述堆叠化合物半导体结构的上方彼此隔离开，并且所述半导体层位于所述栅电极和所述漏电极之间的区域中。