| 摘要 |
본 발명은 박막 층들을 포함하는 광전지 셀(C1, C2)의 연결을 형성하기 위해 박막 층(CIGS, Mo)들의 처리하는 방법과 관련되며, 상기 박막 층은 적어도 제2층(Mo) 상에 적층된 광기전 특성을 갖는 제1층(CIGS), 및 기판(SUB) 상에 적층된 상기 제2층의 금속 접촉 층을 포함한다. 상기 방법은 상기 제2층(Mo)을 노출시키기 위해 제1폭(L1)을 갖는 적어도 하나의 제1트렌치를 상기 제1층(CIGS)에 에칭하는 단계, 및 기판을 노출시키기 위해 제2트렌치를 상기 제1트렌치에 에칭하는 단계를 수행하며, 제2폭(L2)을 갖는 제2트렌치는 제1폭(L1)보다 작다. 더욱이, 상기 제1 및 제2트렌치의 에칭은 단일의 전체 에칭 단계 동안 레이저 임펙트(또는 샷(shot))에 의해 수행되고, 상기 방법은 상기 전체 에칭 단계가 제1트렌치의 범위를 정하기 위한 전면(FR1, FR2)들 근처에서의 좁은 에칭 동작, 및 제1 및 제2전면간 넓은(또는 러프(rough)한) 에칭 동작을 포함하는 것을 특징으로 한다. |
