半导体设备的硅化

摘要

本发明涉及半导体设备的硅化，提供一种用于执行栅极电极的硅化的方法，其包括：在同一个半导体基板上形成半导体设备以及具有被帽盖层覆盖的第一栅极电极的第一晶体管，形成有机平坦化层(OPL)于该第一晶体管及该半导体设备上，回蚀刻该OPL使得该OPL的上表面位准低于该帽盖层的上表面位准，形成覆盖该半导体设备而不覆盖该第一晶体管的掩模层，在该经回蚀刻的OPL及该掩模层存在时移除该帽盖层，以及执行该第一栅极电极的硅化。

主权项

一种用于执行栅极电极的硅化的方法，包括：在同一个半导体基板上形成半导体设备以及具有被帽盖层覆盖的第一栅极电极的第一晶体管；形成有机平坦化层(OPL)于该第一晶体管及该半导体设备上；回蚀刻该有机平坦化层，使得该有机平坦化层的上表面位准低于该帽盖层的上表面位准；形成覆盖该半导体设备及暴露该第一晶体管的掩模层；在该经回蚀刻的有机平坦化层及该掩模层存在时，移除该帽盖层；以及执行该第一栅极电极的硅化。