发明名称 薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法、显示装置
摘要 本发明属于显示技术领域,特别涉及一种薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法、显示装置。本发明薄膜晶体管包括基板,以及在基板上依次形成的栅极层、栅绝缘层、有源层、电极金属层和钝化层;电极金属层包括源电极和漏电极,源电极和漏电极互相隔离,之间为沟道区域;所述栅极层和基板之间有第一透明导电层;所述有源层和电极金属层之间有第二透明导电层。本发明中的薄膜晶体管在基板和栅极金属层之间、有源层和电极金属层之间增加了透明导电层,增强了栅金属层与基板之间的附着力,阻止了电极金属向有源层的扩散,提高了产品性能。
申请公布号 CN102769040B 申请公布日期 2015.03.04
申请号 CN201210260931.6 申请日期 2012.07.25
申请人 京东方科技集团股份有限公司 发明人 张学辉;刘翔;薛建设
分类号 H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I 主分类号 H01L29/786(2006.01)I
代理机构 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人 韩国胜
主权项 薄膜晶体管,包括形成在基板上的栅极、栅绝缘层、有源层、电极金属层和钝化层;电极金属层包括源电极和漏电极,源电极和漏电极互相隔离,之间为沟道区域;其特征在于,所述栅极和基板之间形成有第一透明导电层;所述有源层和电极金属层之间形成有第二透明导电层。
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