发明名称 THERMAL DOPING BY VACANCY FORMATION IN NANOCRYSTALS
摘要 The invention generally relates to methods of thermal doping by vacancy formation in nanocrystals, devices and uses thereof.
申请公布号 WO2015004666(A1) 申请公布日期 2015.01.15
申请号 WO2014IL50621 申请日期 2014.07.10
申请人 YISSUM RESEARCH DEVELOPMENT COMPANY OF THE HEBREWUNIVERSITY OF JERUSALEM LTD. 发明人 BANIN, URI;VINOKUROV, KATHY;MILLO, ODED;BEKENSTEIN, YEHONADAV
分类号 H01L29/24;H01L21/477;H01L29/06 主分类号 H01L29/24
代理机构 代理人
主权项
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