半导体元件及其制造方法

摘要

一种半导体元件，其包括具有第一导电型之基底、具有第二导电型之第一掺杂区、具有第一导电型之至少一个第二掺杂区、具有第二导电型之第三掺杂区、闸极结构以及至少一个接触窗。第一掺杂区与第二掺杂区配置于基底中，且第一掺杂区环绕各第二掺杂区的周围。第三掺杂区配置于第一掺杂区以外之基底中。闸极结构配置于第一掺杂区与第三掺杂区之间的基底上。接触窗配置于基底上，且各接触窗以平行闸极结构的方式交替连接第一掺杂区与第二掺杂区。

主权项

一种半导体元件，包括：具有一第一导电型之一基底；具有一第二导电型之一第一掺杂区，配置于该基底中；以及具有该第一导电型之至少一第二掺杂区，配置于该基底中，该第一掺杂区环绕各第二掺杂区的周围；具有该第二导电型之一第三掺杂区，配置于该第一掺杂区以外之该基底中；一闸极结构，配置于该第一掺杂区与该第三掺杂区之间的该基底上；以及至少一接触窗，配置于该基底上，各该接触窗以平行该闸极结构的方式交替连接该第一掺杂区与该第二掺杂区。