| 发明名称 | 可变电容器件 | ||
| 摘要 | 一种可变电容器件，包括：具有第一电容的电容器和与该电容器串联的可变电阻器。可变电阻器包括形成在沟道区上方的栅极结构，沟道区被限定在半导体衬底中所形成的掺杂阱内。可变电阻器的电阻基于施加给栅极结构的电压，从而调节沟道的电阻和可变电容器件的电容。 | ||
| 申请公布号 | CN104241244A | 申请公布日期 | 2014.12.24 |
| 申请号 | CN201310346901.1 | 申请日期 | 2013.08.09 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 颜孝璁;罗正玮 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种可变电容器件，包括：电容器，具有第一电容；以及可变电阻器，与所述电容器串联连接，所述可变电阻器包括形成在沟道区上方的栅极结构，其中，所述沟道区被限定在形成在半导体衬底中的掺杂阱内，其中，所述可变电阻器的电阻基于施加给所述栅极结构的电压，从而调节所述沟道的电阻和所述可变电容器件的电容。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||